面投影微立体光刻

microArchR S240 系统简介

microArch S240基于BMF摩方的专利技术⸺面投影微立体光刻技术(PµSL)构建,并融入了摩方自主开发的多项专 利技术。摩方PµSL是一种微米级精度的3D光刻技术,这一技术利用液态树脂在UV光照下的光聚合作用,使用滚刀快 速涂层技术大大降低每层打印的时间,并通过打印平台三维移动逐层累积成型制作出复杂三维器件。

microArchR S240 系统性能

性能参数 microArch S240 产品规格
打印技术 PμSL(面投影微立体光刻技术)
光源 UV LED(405nm)
打印材料 光敏树脂
打印文件格式 STL
光学精度 10μm
打印样品尺寸 模式1:单投影模式 19.2mm(L)×10.8mm(W)×75mm(H)
模式2:拼接模式 100mm(L)×100mm(W)×75mm(H)
模式3:重复阵列模式 100mm(L)×100mm(W)×75mm(H)
打印层厚 10-40μm
主机外形尺寸 650mm(L)×700mm(W)×790mm(H)
重量 300kg
电气要求 220~240V AC, 50/60HZ,2KW

设备特点优势

高精度
超高精度(光学精度高达10μm)

低层厚
(10μm~40μm的打印层厚)
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nanoArch S140
打印精度:10~40μm,层厚10~40μm。
普通光固化机器
打印精度:30μm,层厚20μm。
×

超高精度,大幅面,宏微一体化加工

适合新材料开发

支持打印纳米颗粒掺杂的功能性复合材料

光学监控系统,自动对焦功能

支持打印高粘度材料(≤20000cps)

配套功能强大的打印软件、切片软件

工艺参数可调

应用案例

医用内窥镜端座

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氧化铝微齿轮

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微针控样件

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微针阵列

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